Revisión teórica electrónica y física de un transistor de efecto de campo de unión pn

Autores/as

  • Franco Maloberti Universidad de Pavía
  • Edwin Javier Sánchez Uriza Fundación Universitaria Juan de Castellanos
  • Daniel Augusto Castellanos Coronado Fundación Universitaria Juan de Castellanos

DOI:

https://doi.org/10.38017/2390058X.110

Palabras clave:

unión Pn, capa de deserción, corriente saturación, voltaje saturación, transistor efecto de campo.

Resumen

Esta revisión de la Electrónica y la Física del transistor de efecto de campo de unión pn pretende explicar y entender los mecanismos de su funcionamiento. Este tipo de transistor hace uso del siguiente mecanismo, variando el ancho de la capa de deserción de una unión pn, modula un voltaje de polarización; aplicado a la unión, este dispositivo hace uso de este mecanismo, para controlar la corriente que pasa a través de una región acotada por una o más uniones pn. Como fluye baja corriente hacia la unión pn con polarización inversa, entonces consume una pequeña cantidad de potencia en el electrodo de control, por lo tanto la corriente controlada entrega más potencia. Esta es la explicación sintetizada del dispositivo que se llama transistor de efecto de campo, de unión pn (JFET, junction field effect transistor) y se usa como un amplificador de potencia.

Biografía del autor/a

Edwin Javier Sánchez Uriza, Fundación Universitaria Juan de Castellanos

Doctorado de Investigación en Ingeniería Electrónica, Informática y Eléctrica Universidad de Pavía-Italia Grupo de Investigación BINÁ Facultad de Ingeniería Fundación Universitaria Juan de Castellanos

Daniel Augusto Castellanos Coronado, Fundación Universitaria Juan de Castellanos

Laboratorio de Microsistemas Integrados, IMS Doctorado en Microelectrónica Universidad de Pavía-Italia Grupo de Investigación BINÁ Facultad de Ingeniería Fundación Universitaria Juan de Castellanos

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Cómo citar

Maloberti, F., Sánchez Uriza, E. J., & Castellanos Coronado, D. A. (2015). Revisión teórica electrónica y física de un transistor de efecto de campo de unión pn. Revista Ciencia, Innovación Y Tecnología, 2, 61–69. https://doi.org/10.38017/2390058X.110

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Publicado

2015-11-30

Número

Sección

Artículo de Investigación Científica y Tecnológica